Silicon Carbide and Related Materials 2012

· · ·
· Trans Tech Publications Ltd
eBook
1200
หน้า
มีสิทธิ์
คะแนนและรีวิวไม่ได้รับการตรวจสอบยืนยัน  ดูข้อมูลเพิ่มเติม

เกี่ยวกับ eBook เล่มนี้

Volume is indexed by Thomson Reuters CPCI-S (WoS).
The volume on Silicon Carbide and Related Materials is divided into 10 chapters ranging from “Bulk growth” to “Device and application”. The reports demonstrate the technical and scientific advances in the related areas: 150 mm 4H-SiC wafers are now commercially available, a significant improvement of the carrier lifetime (up to 35 ms) for n-type SiC epi-layers has been achieved, SiC diodes have a large market share in server and telecom power applications requiring the maximum efficiency, and a variety of 1- cm2, 15 kV class bipolar devices have been demonstrated, including PN Diodes, IGBTs and GTO. In general, the number of contributions devoted to application of SiC and related materials, GaN and solid solutions based on this material, and graphene is steadily increasing compared to the 2011 edition.

ให้คะแนน eBook นี้

แสดงความเห็นของคุณให้เรารับรู้

ข้อมูลในการอ่าน

สมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต
ติดตั้งแอป Google Play Books สำหรับ Android และ iPad/iPhone แอปจะซิงค์โดยอัตโนมัติกับบัญชีของคุณ และช่วยให้คุณอ่านแบบออนไลน์หรือออฟไลน์ได้ทุกที่
แล็ปท็อปและคอมพิวเตอร์
คุณฟังหนังสือเสียงที่ซื้อจาก Google Play โดยใช้เว็บเบราว์เซอร์ในคอมพิวเตอร์ได้
eReader และอุปกรณ์อื่นๆ
หากต้องการอ่านบนอุปกรณ์ e-ink เช่น Kobo eReader คุณจะต้องดาวน์โหลดและโอนไฟล์ไปยังอุปกรณ์ของคุณ โปรดทำตามวิธีการอย่างละเอียดในศูนย์ช่วยเหลือเพื่อโอนไฟล์ไปยัง eReader ที่รองรับ