Silicon Carbide and Related Materials 2012

· · ·
· Trans Tech Publications Ltd
كتاب إلكتروني
1200
صفحة
مؤهل
لم يتم التحقّق من التقييمات والمراجعات.  مزيد من المعلومات

معلومات عن هذا الكتاب الإلكتروني

Volume is indexed by Thomson Reuters CPCI-S (WoS).
The volume on Silicon Carbide and Related Materials is divided into 10 chapters ranging from “Bulk growth” to “Device and application”. The reports demonstrate the technical and scientific advances in the related areas: 150 mm 4H-SiC wafers are now commercially available, a significant improvement of the carrier lifetime (up to 35 ms) for n-type SiC epi-layers has been achieved, SiC diodes have a large market share in server and telecom power applications requiring the maximum efficiency, and a variety of 1- cm2, 15 kV class bipolar devices have been demonstrated, including PN Diodes, IGBTs and GTO. In general, the number of contributions devoted to application of SiC and related materials, GaN and solid solutions based on this material, and graphene is steadily increasing compared to the 2011 edition.

تقييم هذا الكتاب الإلكتروني

أخبرنا ما هو رأيك.

معلومات القراءة

الهواتف الذكية والأجهزة اللوحية
ينبغي تثبيت تطبيق كتب Google Play لنظام التشغيل Android وiPad/iPhone. يعمل هذا التطبيق على إجراء مزامنة تلقائية مع حسابك ويتيح لك القراءة أثناء الاتصال بالإنترنت أو بلا اتصال بالإنترنت أينما كنت.
أجهزة الكمبيوتر المحمول وأجهزة الكمبيوتر
يمكنك الاستماع إلى الكتب المسموعة التي تم شراؤها على Google Play باستخدام متصفح الويب على جهاز الكمبيوتر.
أجهزة القراءة الإلكترونية والأجهزة الأخرى
للقراءة على أجهزة الحبر الإلكتروني، مثل أجهزة القارئ الإلكتروني Kobo، عليك تنزيل ملف ونقله إلى جهازك. يُرجى اتّباع التعليمات المفصّلة في مركز المساعدة لتتمكّن من نقل الملفات إلى أجهزة القارئ الإلكتروني المتوافقة.