Radiation Defect Engineering

·
· Selected Topics In Electronics And Systems 37. grāmata · World Scientific
5,0
1 atsauksme
E-grāmata
264
Lappuses
Piemērota
Atsauksmes un vērtējumi nav pārbaudīti. Uzzināt vairāk

Par šo e-grāmatu

The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. The authors consider the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results. All types of proton modifications of the materials known presently are analyzed in detail and exciting new fields of research in this direction are discussed.

Vērtējumi un atsauksmes

5,0
1 atsauksme

Novērtējiet šo e-grāmatu

Izsakiet savu viedokli!

Informācija lasīšanai

Viedtālruņi un planšetdatori
Instalējiet lietotni Google Play grāmatas Android ierīcēm un iPad planšetdatoriem/iPhone tālruņiem. Lietotne tiks automātiski sinhronizēta ar jūsu kontu un ļaus lasīt saturu tiešsaistē vai bezsaistē neatkarīgi no jūsu atrašanās vietas.
Klēpjdatori un galddatori
Varat klausīties pakalpojumā Google Play iegādātās audiogrāmatas, izmantojot datora tīmekļa pārlūkprogrammu.
E-lasītāji un citas ierīces
Lai lasītu grāmatas tādās elektroniskās tintes ierīcēs kā Kobo e-lasītāji, nepieciešams lejupielādēt failu un pārsūtīt to uz savu ierīci. Izpildiet palīdzības centrā sniegtos detalizētos norādījumus, lai pārsūtītu failus uz atbalstītiem e-lasītājiem.