Oxygen in Silicon
R. K. Willardson · Eicke R. Weber · Albert C. Beer · Fumio Shimura
aug. 1994 · Semiconductors and Semimetals Cartea 42 · Academic Press
Carte electronică
679
Pagini
family_home
Eligibilă
info
reportEvaluările și recenziile nu sunt verificate Află mai multe
Despre această carte electronică
This volume reviews the latest understanding of the behavior and roles of oxygen in silicon, which will carry the field into the ULSI era from the experimental and theoretical points of view. The fourteen chapters, written by recognized authorities representing industrial and academic institutions, cover thoroughly the oxygen related phenomena from the crystal growth to device fabrication processes, as well as indispensable diagnostic techniques for oxygen. - Comprehensive study of the behavior of oxygen in silicon - Discusses silicon crystals for VLSI and ULSI applications - Thorough coverage from crystal growth to device fabrication - Edited by technical experts in the field - Written by recognized authorities from industrial and academic institutions - Useful to graduate students, scientists in other disciplines, and active participants in the arena of silicon-based microelectronics research - 297 original line drawings
Evaluează cartea electronică
Spune-ne ce crezi.
Informații despre lectură
Smartphone-uri și tablete
Instalează aplicația Cărți Google Play pentru Android și iPad/iPhone. Se sincronizează automat cu contul tău și poți să citești online sau offline de oriunde te afli.
Laptopuri și computere
Poți să asculți cărțile audio achiziționate pe Google Play folosind browserul web al computerului.
Dispozitive eReader și alte dispozitive
Ca să citești pe dispozitive pentru citit cărți electronice, cum ar fi eReaderul Kobo, trebuie să descarci un fișier și să îl transferi pe dispozitiv. Urmează instrucțiunile detaliate din Centrul de ajutor pentru a transfera fișiere pe dispozitivele eReader compatibile.
