Thermally Activated Mechanisms in Crystal Plasticity
thg 9 2003 · Pergamon Materials Series Sách 8 · Elsevier
5,0star
1 bài đánh giáreport
Sách điện tử
452
Trang
family_home
Đủ điều kiện
info
reportĐiểm xếp hạng và bài đánh giá chưa được xác minh Tìm hiểu thêm
Giới thiệu về sách điện tử này
KEY FEATURES: - A unified, fundamental and quantitative resource. The result of 5 years of investigation from researchers around the world - New data from a range of new techniques, including synchrotron radiation X-ray topography provide safer and surer methods of identifying deformation mechanisms - Informing the future direction of research in intermediate and high temperature processes by providing original treatment of dislocation climb DESCRIPTION: Thermally Activated Mechanisms in Crystal Plasticity is a unified, quantitative and fundamental resource for material scientists investigating the strength of metallic materials of various structures at extreme temperatures. Crystal plasticity is usually controlled by a limited number of elementary dislocation mechanisms, even in complex structures. Those which determine dislocation mobility and how it changes under the influence of stress and temperature are of key importance for understanding and predicting the strength of materials. The authors describe in a consistent way a variety of thermally activated microscopic mechanisms of dislocation mobility in a range of crystals. The principles of the mechanisms and equations of dislocation motion are revisited and new ones are proposed. These describe mostly friction forces on dislocations such as the lattice resistance to glide or those due to sessile cores, as well as dislocation cross-slip and climb. They are critically assessed by comparison with the best available experimental results of microstructural characterization, in situ straining experiments under an electron or a synchrotron beam, as well as accurate transient mechanical tests such as stress relaxation experiments. Some recent attempts at atomistic modeling of dislocation cores under stress and temperature are also considered since they offer a complementary description of core transformations and associated energy barriers. In addition to offering guidance and assistance for further experimentation, the book indicates new ways to extend the body of data in particular areas such as lattice resistance to glide.
Xếp hạng và đánh giá
5,0
1 bài đánh giá
Xếp hạng sách điện tử này
Cho chúng tôi biết suy nghĩ của bạn.
Đọc thông tin
Điện thoại thông minh và máy tính bảng
Cài đặt ứng dụng Google Play Sách cho Android và iPad/iPhone. Ứng dụng sẽ tự động đồng bộ hóa với tài khoản của bạn và cho phép bạn đọc trực tuyến hoặc ngoại tuyến dù cho bạn ở đâu.
Máy tính xách tay và máy tính
Bạn có thể nghe các sách nói đã mua trên Google Play thông qua trình duyệt web trên máy tính.
Thiết bị đọc sách điện tử và các thiết bị khác
Để đọc trên thiết bị e-ink như máy đọc sách điện tử Kobo, bạn sẽ cần tải tệp xuống và chuyển tệp đó sang thiết bị của mình. Hãy làm theo hướng dẫn chi tiết trong Trung tâm trợ giúp để chuyển tệp sang máy đọc sách điện tử được hỗ trợ.
